Micron Technology, Inc. /
08.02.2010 18:27
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Unternehmen treiben DRAM-Entwicklung der 3X-Nanometer-Prozesstechnologie im
Labor weiter voran Ankuendigungsuebersicht
? Micron und Nanya stellten heute eine neue 42-Nanometer
DRAM-Prozesstechnologie vor und haben bereits einen 3X-Nanometer-Prozess im
Labor in Arbeit
? Um der Vorreiter bei der Skalierung zu bleiben, verwendet der neue
42-Nanometer-Prozess die effizientere und zuverlaessigere
Kupfermetallisierungstechnik.
? Der 42-Nanometer-Prozess ermoglicht eine 2GB-Speicheranordnung, die
Energieeinsparung, grossere Leistung, grossere Dichte und geringere Die-Grosse
bietet.
BOISE, Idaho und TAOYUAN, Taiwan, 8. Februar 2010 (GLOBE NEWSWIRE) -- Micron
Technology, Inc. (Nasdaq: MU) und Nanya Technology Corporation gaben heute
bekannt, dass sie unter Verwendung ihrer neuen 42-Nanometer
(nm)-DRAM-Prozesstechnologie auf Kupferbasis ein 2-Gigabit
(Gb)-DDR3-Speichergeraet zusammen entwickelt haben. DDR3 ist die vorherrschende
Speichertechnologie, die in High-Performance-Computeranwendungen einschliesslich
Servern, Notebooks und Desktop-Computern verwendet wird.
Die Entwicklung hin zu kleineren Prozessgeometrien ist ueberaus wichtig im
Hinblick auf die Erhaltung von Kostenvorteilen bei der Herstellung und bietet
dem Kunden gleichzeitig Vorteile wie Energieeinsparungen, hohere Leistung,
grossere Dichte und kleinere Die-Grossen. Der neue 42nm-Prozess macht 1,35-Volt
zum Standard-Hauptstromspannungsbedarf im Vergleich zu den 1,5-Volt frueherer
Generationen. Der geringere Speicher-Strombedarf ist fuer heutige
Server-Umgebungen entscheidend, bei denen die Kosten der Stromversorgung und
Kuehlsysteme den Kosten einer Server-Einrichtung entsprechen. Angesichts des
zunehmenden Speicherbedarfs von Servern wird der Speicher-Energieverbrauch auf
bis zu 21-Watt pro Modul geschaetzt. * Die 1,35-Spannung kann bei diesen
Anwendungen fuer Einsparungen von bis zu 30% sorgen und sowohl den Strombedarf
als auch den Bedarf an Kuehlsystemen reduzieren.
Hohere Speicher-Geschwindigkeiten sind fuer das Erreichen der maximalen
Systemleistung wichtig. Durch die geschrumpfte Prozesstechnologie liefert das
2Gb 42nm-DDR3-Geraet eine verbesserte Speicherleistung, die bis zu 1866 Megabits
pro Sekunde erreichen kann. Zudem werden durch die Kopplung der kleinen
Die-Grosse mit der 2Gb-Dichte des 42nm-DDR3-Geraets Module mit bis zu 16GBs
moglich.
'Durch den Schritt hin zu 42nm - und einen 3Xnm-Prozess in unserem F&E-Labor in
Boise in Arbeit - hat es uns die Expertise Microns bei der
Kupfermetallisierungs- und exklusiver Zellkondensator-Technologie ermoglicht,
dass wir weiter der Vorreiter beim DRAM-Prozessdesign und der Innovation sind',
sagte Robert Feurle, Vice President des DRAM- Marketings. 'Die Aufnahme dieses
neuen 2Gb 42nm-Geraets in unsere DRAM-Produktpalette staerkt unser ohnehin schon
reichhaltiges Portfolio an Speicherlosungen fuer Endverbraucheranwendungen.'
'Wir freuen uns sehr, unseren Kunden dieses aeusserst wettbewerbsfaehige, in
Produktion befindliche 2Gb DDR3-DRAM-Geraet anzubieten', sagte Dr. Pei Lin Pai,
Vize-Praesident im Bereich Global Sales und Marketing und Sprecher von Nanya.
'Nanya hat vor, sich mit diesem neuesten Technologiegeraet auf dem Markt fuer
Server und PCs sowie dem Verbrauchermarkt zu positionieren.'
Kupfer: der Weg zu hoherer Qualitaet und Zuverlaessigkeit
Durch die Verwendung der effizienteren und zuverlaessigeren
Kupfermetallisierungstechnik fuer den neuen 42nm-Nanometer-Prozess konnen Micron
und Nanya weiter die Vorreiterrolle bei der Skalierung einnehmen. Micron sind
die Vorteile von Kupfer zur Unterstuetzung der DRAM-Skalierung schon seit langem
bekannt und man hat die Technologie fast ein Jahrzehnt lang weiter
vorangetrieben und verfeinert. Im Vergleich zu anderen Metallisierungstechniken
fuer beispielsweise Aluminium ist Kupfer als der Ansatz anerkannt, der
erweiterbarer, zuverlaessiger und preisguenstiger fuer die Weiterentwicklung von
Prozessgeometrien und die Verbesserung der Produktleistung ist. Waehrend Micron
und Nanya weiter an der Skalierung arbeiten und sich auf ihre
3Xnm-Prozesstechnologie zubewegen, setzen die beiden Unternehmen auf ihre
starke Kupfer-Basis, um qualitativ hochwertige und hochst zuverlaessige Produkte
zu liefern.
Verfuegbarkeit
Ab dem zweitem Kalendervierteljahr 2010 sollen Muster verfuegbar sein; der
Produktionsanlauf ist fuer die zweite Haelfte des Jahres geplant.
*Dr. Dobb's, 5. Maerz 2009, Das Problem des Stromverbrauchs von Servern -
http://www.drdobbs.com/215800830?pgno=1
Relevante Links
Weitere Moglichkeiten, um immer ueber Neuigkeiten von Mikron informiert zu sein:
? Micron Innovations-Blog: www.micronblogs.com
? Micron auf Twitter: http://twitter.com/microntechnews
? RealSSD auf Twitter: http://twitter.com/realssd
? Micron Pressroom: www.micron.com/media
UEber Micron
Micron Technology, Inc., ist einer der fuehrenden Anbieter von hoch entwickelten
Halbleiterlosungen. Als Teil seiner weltweiten Geschaeftsaktivitaeten produziert
und vermarktet Micron DRAM-, NAND-Flash-Speicher, sonstige
Halbleiterkomponenten sowie Speichermodule zur Anwendung in fuehrenden Produkten
in den Bereichen Computer, Unterhaltungselektronik, Netzwerke und tragbare
elektronische Geraete. Die Stammaktien von Micron werden an der NASDAQ unter dem
Symbol MU gehandelt. Weitere Informationen ueber Micron Technology, Inc.
erhalten Sie auf www.micron.com.
Das Logo von Micron Technology, Inc. ist erhaeltlich auf
http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950
UEber Nanya
Nanya Technology Corporation, ein Mitglied der Formosa Plastics Group, ist ein
weltweit fuehrender Anbieter von modernen Speicherhalbleitern, der sich auf die
Forschung und Entwicklung, das Design, die Fertigung und den Verkauf von
DRAM-Produkten spezialisiert hat. NTCs Stammaktien werden an der Taiwan Stock
Exchange Corporation (TSEC) unter dem Kuerzel 2408 gehandelt. Das Unternehmen
besitzt zurzeit sowohl 200mm-Fertigungseinrichtungen sowie eine
300mm-Fertigungseinrichtung in Taiwan. Das Unternehmen besitzt zurzeit sowohl
200mm-Fertigungseinrichtungen sowie eine 300mm-Fertigungseinrichtung in Taiwan.
Das Unternehmen ist zudem involviert in ein 300mm-Joint Venture, Inotera
Memories, Inc., welches zwei 300mm-Fertigungseinrichtungen in Taiwan betreibt.
Weitere Informationen befinden sich auf http://www.nanya.com
Das Logo der Nanya Technology Corporation ist erhaeltlich auf
http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=7064
Micron und das Micron-Orbit-Logo sind Warenzeichen von Micron Technology, Inc.
Alle anderen Warenzeichen sind Eigentum ihrer jeweiligen Besitzer.
Diese Pressemitteilung enthaelt zukunftsweisende Aussagen hinsichtlich der
Fertigung von Microns neuem 2Gb 42nm-DDR3-Geraetes sowie der Entwicklung eines
3Xnm-DRAM-Prozesses. Die tatsaechlichen Ergebnisse konnen wesentlich von den
hier in den zukunftsweisenden Aussagen beschriebenen abweichen. Weitere
Einzelheiten konnen Sie den Unterlagen entnehmen, die Micron regelmaessig auf
konsolidierter Basis bei der US-amerikanischen Borsenaufsichtsbehorde
(Securities and Exchange Commission) einreicht, insbesondere auf Microns
aktuellen Formblaettern 10-K und 10-Q. Diese Unterlagen enthalten und heben
wichtige Faktoren hervor, die dazu fuehren konnten, dass Microns tatsaechliche
Ergebnisse auf konsolidierter Basis wesentlich von den in unseren
zukunftsweisenden Aussagen genannten Ergebnissen abweichen (siehe 'Certain
Factors'). Obwohl wir davon ausgehen, dass die in den zukunftsweisenden
Aussagen genannten Erwartungen angemessen sind, konnen wir zukuenftige
Ergebnisse, Aktivitaetsniveaus, Leistungen oder Erfolge nicht garantieren.
Ein dieser Pressemitteilung zugehoriges Foto ist erhaeltlich auf
http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=7064
Das Foto ist auch ueber Newscom auf www.newscom.com erhaeltlich sowie ueber AP
PhotoExpress.
KONTAKT: Micron Technology, Inc.
Kirstin Bordner
(208) 368-5487
kbordner@micron.com
Nanya Technology Corporation
Dr. Pei Lin Pai
886-3-3281688 x1008
plpai@ntc.com.tw
News Source: NASDAQ OMX
08.02.2010 Ad-hoc-Meldungen, Finanznachrichten und Pressemitteilungen übermittelt durch die DGAP.
Medienarchiv unter http://www.dgap-medientreff.de und http://www.dgap.de
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Sprache: Deutsch
Unternehmen: Micron Technology, Inc.
United States
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